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HGTR-KTP電光晶體

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HGTR-KTP電光晶體

HGTR-KTP晶體,又稱為高抗灰跡磷酸氧鈦鉀晶體,是一種綜合性能優良的電光晶體。HGTR-KTP(高抗灰跡KTP)電光晶體具有優良性能的非線性光學特性,容許溫度匹配和容許角度匹配范圍大,抗灰跡、抗光損傷閾值高,化學、機械性能穩定等特性,HGTR-KTP電光晶體主要用于釹激光的二倍頻產生綠光以及用于集成NLO和EO設備的光波導。同時可用于激光倍頻、和頻、差頻、參量振蕩以及光波導器件、電光調制器、電光開關和脈沖拾取等相關領域,在軍事科研、醫療、海洋光學、激光武器和環境遙感監測等領域具有廣泛的應用。

特點:

  • 1064nm和532nm的低吸收;
  • 比普通KTP (5X-10X)更高的耐灰跡性;
  • 比普通KTP效率更高;
  • 寬溫度帶寬;
  • 具有競爭力價格的高品質晶;
  • 非吸濕性、化學和機械穩定性;
  • 高導熱性;

晶體規格

材料HGTR-KTP晶體
光圈范圍從2×2mm到10×10mm
涂層增強現實/增強現實;R<0.2%@1064nm
損傷閾值>600MW/cm2 @1064nm,10ns
消光比>20dB
光傳播>98.5%
波前畸變 <λ/8 @1064nm

晶體特性

材料HGTR-KTP晶體
尺寸公差(W ±0.1mm)× (H± 0.1mm)× (L+0.5/-0.1mm)
尺寸范圍孔徑:~10 ×10mm; 長度:~15mm
清晰光圈中心90%
晶體散射用50mW綠色激光檢查時沒有可見的散射路徑或中心
平整度<λ/8 @633nm
傳輸波前畸變<λ/8 @633nm
倒角 ≤0.2mm @45°
表面質量10/5 S/D
并行度≤20弧秒
垂直度≤5弧分
角度公差≤0.25°
涂層AR/AR@1064nm 兩端面

譜圖

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