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BGO電光晶體

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BGO電光晶體

BGO晶體,又稱為鍺酸鉍晶體,化學(xué)式為Bi12GeO20,是一種多功能光電材料, 在可見光范圍內(nèi)具有高速光折變響應(yīng), 以及良好的壓電、聲光、磁光, 旋光和電光等性能。Bi4Ge3O12和 Bi12GeO20晶體都簡(jiǎn)稱為 BGO。Bi4Ge3O12屬于立方晶系六四面體體心結(jié)構(gòu),空間群為 F43m,主要用作閃爍體;Bi12GeO20也是立方品系體心結(jié)構(gòu),但空間群為 I23,主要利用它的光折變效應(yīng)、電光效應(yīng)等。由于晶體是立方對(duì)稱的,當(dāng)無外電場(chǎng)時(shí),晶體表現(xiàn)為光學(xué)各向同性,對(duì)波長(zhǎng)510 nm的光折射率為2.55;當(dāng)存在外電場(chǎng)時(shí),晶體表現(xiàn)出雙折射效應(yīng)。BGO晶體具有低暗電導(dǎo)率、無色透明和不溶于水等優(yōu)點(diǎn)。BGO不僅可用于普克爾斯盒,也可用于紫外范圍內(nèi)的光折變器件。

特點(diǎn):

  • 高電光系數(shù)(r41=3,5 pm/v)
  • 低暗電導(dǎo)率
  • 大尺寸元件或晶片較多可達(dá)3“
  • 可根據(jù)要求定制

晶體規(guī)格

通光孔徑85%
尺寸公差 +0.0/-0.2mm
厚度公差±0.2mm
平行度<30弧秒
倒角<0.3mm @45°
表面質(zhì)量40/20
波前畸變<λ/4 @632.8nm
涂料無涂層

晶體特性

化學(xué)式Bi4Ge3O12
晶格參數(shù)10.15?
密度9.2g/cm3
傳輸范圍0.45-7μm
折射率2.55 @0.63μm
旋光性41.5deg/mm @500nm
電光系數(shù)r41=4.1pm/v
介電常數(shù)40

譜圖

電光晶體BGO強(qiáng)度譜圖電光晶體BGO透過率譜圖
BGO強(qiáng)度譜圖BGO透過率譜圖

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