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Cr:ZnSe

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Cr:ZnSe

Cr：ZnSe激光晶體具有以下優點：通常沒有激發態吸收和上位能轉換，極寬的吸收帶和大的發射截面，在室溫下具有極好的熒光量子效率和超寬的發射寬度以及良好的化學和機械性能特性，使其成為高效，強大的可調諧中紅外激光的極佳來源。Cr：ZnSe激光晶體由于中紅外波段是大氣的窗口，因此在光通信、污染氣體檢測、工業燃燒產物測試等領域具有重要的應用前景。

  • 廣泛的可調性（從2.1-3.1μm發射）
  • 寬吸收帶
  • 大增益截面（σ發射?9 × 10-19 cm2）
  • 激發態吸收的最小問題（不允許上能級激發態的自旋躍遷）
  • 高導熱性比YAG好（ZnSe為18w/m·K，YAG為13w/m·K）
  • 高IR（0.6-20μm）透明度

材料規格

晶體結構立方
泊松比0.28
厚度/直徑公差±0.05mm
方向公差< 0.5°
表面平整度<λ/8@632nm
波前失真<λ/4@632nm
表面質量10-5(MIL-O-13830A)
平行性30〞
垂直性15ˊ
通光孔徑>90%
倒角<0.2×45°
熔點1520 oC

物理和化學特性

熱膨脹系數 @20oC1.5×10-6/oC
導熱系數。 @20oC14 W/m/oK
比熱0.79 J/g K
密度5.27 g/cm3
耐久努氏硬度112 kgf/mm2
莫氏硬度8.5
楊氏模量67 GPa
斷裂模量55 MPa
取向<111>or <100>

光學和光譜性質

激光波長2150 – 2600 nm
發射線寬<1 nm
發射截面（@ 1064nm）9×10-19?cm2
本征損失@ 1064nm<0.003 cm-1
折射率（n）@ 1650nm2.455
熱光學系數（dn / dT）@nm?61×10-6/oC

吸收和發射光譜

Cr-ZnSe激光晶體-吸收譜Cr-ZnSe激光晶體-發射譜

參考文獻

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