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普克爾盒驅(qū)動(dòng)

Ring — Tue, 28 Feb 2023 02:07:49 +0000

為了匹配普克爾盒的使用，我司提供一下系列的普克爾盒驅(qū)動(dòng)、高壓電源、模塊和信號(hào)控制器。詳細(xì)情況請見產(chǎn)品單頁。

CL-PCDH系列加壓降壓型晶體驅(qū)動(dòng)器
CL-PCDS系列加壓降壓型晶體驅(qū)動(dòng)器
CL-PCDH-1M系列加壓降壓型晶體驅(qū)動(dòng)器：主要應(yīng)用于調(diào)Q光路、脈沖選擇光路、腔倒空電路；
CL-PCDX系列加壓降壓型晶體驅(qū)動(dòng)器
CL-OEM-HV-80高壓電源
CL-OEM-HV-120高壓電源
CL-PCD-HV系列高壓電源：具備高壓電壓的顯示與調(diào)節(jié)、高壓電源的單獨(dú)開關(guān)、同時(shí)給普克爾盒驅(qū)動(dòng)供電；
CL-PACK-PCDH系列一體式晶體驅(qū)動(dòng)器模塊
CL-SC300系列普克爾盒驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制器

BBO電光晶體

Alice — Fri, 02 Sep 2022 05:50:17 +0000

BBO晶體，又稱為偏硼酸鋇晶體，化學(xué)式為BaB₂O₄，是一種綜合性能優(yōu)良的電光晶體和非線性晶體。在Nd:YAG激光器的三次、四次和五次諧波（分別為355nm、266nm和213nm)、Ti:Sapphire放大器的二次和三次諧波（400nm和266.7nm)等相關(guān)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。BBO電光晶體有著極寬的透光范圍，極低的吸收系數(shù)，較弱的壓電振鈴效應(yīng)，相對于其他的電光調(diào)制晶體，具有更高的消光比，較大的相位匹配角，較高的抗光損傷閾值、寬帶的溫度匹配以及優(yōu)良的光學(xué)均勻性，有利于提高激光輸出功率穩(wěn)定性，特別是在Nd:YAG激光器之三倍頻有著廣泛的應(yīng)用。同時(shí)還可以應(yīng)用于OPO配置、光學(xué)參量振蕩器以及從近紅外到深紫外的電光應(yīng)用。

特點(diǎn)

良好的物理性能；
適當(dāng)?shù)臋C(jī)械性能；
溫度帶寬約55℃；
光學(xué)均勻性高
透射范圍從190 nm到3500nm；
相位匹配范圍從6 nm到3500nm；
有效SHG（二次諧波產(chǎn)生）系數(shù)大；
1064 nm處10 J/cm²的100 ps脈沖損壞閾值

BBO電光晶體最先出現(xiàn)在芯飛睿。

BBO普克爾盒

Ring — Thu, 01 Sep 2022 07:37:28 +0000

BBO（BaB₂O₄）普克爾盒，又稱為硼酸鋇普克爾盒，是一種綜合性能比較優(yōu)秀的普克爾盒器件。BBO普克爾盒具有具有高損傷閾值、低插入損耗、高消光比、最小的壓電振鈴和有競爭力的價(jià)格等優(yōu)勢，BBO 普克爾斯盒在激光功率處理能力、溫度穩(wěn)定性和基本上不受壓電振鈴影響方面表現(xiàn)出優(yōu)于其他材料的顯著優(yōu)勢。BBO普克爾盒是高重復(fù)率 Q 開關(guān)、高達(dá) 3 MHz 的脈沖拾取、激光腔傾倒、再生放大器控制和光束斬波器的最有吸引力的候選者。在高重復(fù)率和高功率應(yīng)用領(lǐng)域，BBO 普克爾盒是比 KDP 普克爾盒更好的選擇。由于 BBO 的低壓電耦合系數(shù)，可以產(chǎn)生重復(fù)頻率為數(shù)百千赫茲的脈沖。

特點(diǎn)

高重復(fù)率和抗損傷性
低吸收和噪音
高紫外線透過率
提供雙晶設(shè)計(jì)的普克爾盒

標(biāo)品

BBO單晶體開關(guān)

產(chǎn)品型號(hào)	通光孔徑	晶體尺寸	外殼尺寸	λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC	電容, pF	透過率	使用波長	抗光傷, 10ns 10Hz 1064nm	消光比
CLBBO-S02525-2035	2.2mm	2.5×2.5x25mm	Dia. 20x35mm	2.4kV	2.2pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1
CLBBO-S02525-151728-S	2.2mm	2.5×2.5x25mm	15×17.5x28mm 方型外殼	2.4kV	2.2pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1
CLBBO-S0320-2035	2.7mm	3x3x20 mm	Dia.20x35mm	3.6kV	3pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1
CLBBO-S0325-2035	2.7mm	3x3x25 mm	Dia.20x35mm	2.9kV	3pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1
CLBBO-S0420-2035	3.7mm	4x4x20 mm	Dia.20x35mm	4.8kV	4pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1
CLBBO-S0425-2035	3.7mm	4x4x25 mm	Dia.20x35mm	3.9kV	4pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1

BBO雙晶體開關(guān)

產(chǎn)品型號(hào)	通光孔徑	晶體尺寸	外殼尺寸	λ/4電壓 (@1064nm), kV DC	電容, pF	透過率	使用波長	抗光傷, 10ns 10Hz 1064nm	消光比
CLBBO-D0320-2055	2.7mm	3x3x20 mm³	Dia.20x55mm	1.8kV	6pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	300:1
CLBBO-D0420-2055	3.7mm	4x4x20 mm³	Dia.20x55mm	2.4kV	7pF	>99%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	300:1

BBO普克爾盒最先出現(xiàn)在芯飛睿。

DKDP普克爾盒

Ring — Sat, 06 Aug 2022 08:21:54 +0000

DKDP（KD₂PO₄）普克爾盒，又稱為磷酸二氘鉀普克爾盒或KD*P普克爾盒，是一種綜合性能比較優(yōu)秀的普克爾盒器件。該產(chǎn)品具有光學(xué)損耗低、消光比高、電光性能好和對環(huán)境的耐受性好等優(yōu)點(diǎn)，可以用在電光調(diào)Q開關(guān)、高速攝像開關(guān)、軍事和航空激光系統(tǒng)、染料激光器800 nm二、三倍頻以及1064 nm 二、三、四倍頻領(lǐng)域之中。DKDP晶體本身的易潮解性以及機(jī)械性能較差，使用時(shí)需注意在以下操作環(huán)境下使用：溫度操作范圍：10~50度，溫度變化每20分鐘不宜超過5度，環(huán)境濕度：<40% ,盡量搭配濕度控制裝置（干燥器皿及干燥劑）使用，不使用時(shí)請存儲(chǔ)于干燥箱內(nèi)。

特點(diǎn)

緊湊設(shè)計(jì);
便于調(diào)節(jié);
無靜態(tài)雙折射;
無光折射損害;
高抗光損傷閾值;
優(yōu)越的電光系數(shù);
對環(huán)境的耐受性好;
密閉好，無粘合劑;
DKDP晶體的含氘量高（>99.0%）

標(biāo)品

DKDP單晶開關(guān)

產(chǎn)品型號(hào)	通光孔徑	晶體尺寸	外殼尺寸	λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC	電容, pF	透過率	使用波長	抗光傷, 10ns 10Hz 1064nm	消光比	電極方式
CLKDP-S1520-3542-AR	15mm	Dia.15×20 mm³	Dia.35×42 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S1220-3236-AR	12mm	Dia.12×20 mm³	Dia.20×35 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	600MW/cm²	1000:1	端面插針電極
CLKDP-S1220-3240-AR	12mm	Dia.12×20 mm³	Dia.35×42 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S1220-2540-AR	12mm	Dia.12×20 mm³	Dia.25×40 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S1020-2532-AR	10mm	Dia.10×20 mm³	Dia.25×32 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S0816-1926-AR	8mm	Dia.8×16 mm³	Dia.19×26 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S0816-1926-SG	8mm	Dia.8×16 mm³	Dia.19×26 mm	3.2kV	5pF	>98%	1030nm-1064nm	750MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S0816-2028-AR	8mm	Dia.8×16 mm³	Dia.20×28 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	柱面插針電極
CLKDP-S0816-1930-AR	8mm	Dia.8×16 mm³	Dia.19×30 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	端面引線
CLKDP-S0918-1928-AR	8mm	Dia.9×18 mm³	Dia.19×28 mm	3.2kV	5pF	>98.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	1000:1	端面插針電極

DKDP雙晶開關(guān)

產(chǎn)品型號(hào)	通光孔徑	晶體尺寸	外殼尺寸	λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC	電容, pF	透過率	使用波長	抗光傷, 10ns 10Hz 1064nm	消光比	電極方式
CLKDP-D1220-3565-AR	12mm	Dia.12×20 mm³, 一對	Dia.35x65mm	1.6kV	8pF	>97.5%	1030nm-1064nm	350MW/cm²	500:1	柱面插針電極

DKDP普克爾盒最先出現(xiàn)在芯飛睿。

LiNbO3&MgO:LiNbO3普克爾盒

Ring — Wed, 06 Jul 2022 09:19:50 +0000

LN（LiNbO₃）普克爾盒，又稱鈮酸鋰普克爾盒，是一種綜合性比較優(yōu)良的普克爾盒器件，廣泛地應(yīng)用于光通信和光波導(dǎo)技術(shù)等領(lǐng)域之中。該產(chǎn)品具有高電光系數(shù)、不吸濕性、透明度范圍寬和良好的機(jī)械和物理性能等優(yōu)點(diǎn)，可以應(yīng)用在電光調(diào)制器、調(diào)制諧振器波電壓外的激光束等領(lǐng)域之中。鈮酸鋰晶體因其高電光系數(shù)、不吸濕性、高達(dá) 4.0 μm 的良好傳輸和橫模操作而成為 Q 開關(guān)和相位調(diào)制器最常用的材料之一.?通過橫向于光傳播方向施加電場，可以將 LiNBO₃ 電池配置為在比 KD*P 電池更低的電壓下工作。LiNbO₃普克爾盒可以支持高達(dá) 4.0 μm 的紅外波長操作，也是中低功率固態(tài)激光器（Er:YAG、Ho:YAG、Tm:YAG 脈沖激光器）應(yīng)用的良好選擇。同時(shí)，與未摻雜的常規(guī) LiNbO3 相比，具有 Mgo 摻雜的 LiNbO₃具有顯著更高的損傷閾值。

特點(diǎn)

損耗低
高電光系數(shù)
透明度范圍寬
低波前失真
高溫穩(wěn)定性
穩(wěn)定的機(jī)械和化學(xué)性能

標(biāo)品

MgO:LN晶體開關(guān)

產(chǎn)品型號(hào)	通光孔徑	晶體尺寸	外殼尺寸	λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC	電容, pF	透過率	使用波長	抗光傷, 10ns 10Hz 1064nm	消光比	電極方式
CLMGO-S0920-3026	9mm	9 x 9 x 20 mm³	Dia.30×26 mm	1.9kV	14pF	>99%	1064nm	200MW/cm²	300:1	柱面引線
CLMGO-S0620-2533	6mm	6 x 6 x 20mm³	Dia.25×33 mm	1.4kV	14pF	>99%	1064nm	200MW/cm²	300:1	柱面插針電極
CLMGO-S0920-181720-S	9mm	9 x 9 x 20 mm³	18 x 17 x 20mm	1.9kV	14pF	>99%	1064nm	200MW/cm²	300:1	方型外殼，插針電極

LiNbO₃&MgO:LiNbO₃普克爾盒最先出現(xiàn)在芯飛睿。

RTP普克爾盒

Ring — Tue, 07 Jun 2022 00:48:57 +0000

RTP（RbTiOPO₄）普克爾盒，又稱磷酸鈦氧銣普克爾盒，是一種綜合性比較優(yōu)良的普克爾盒器件，廣泛地應(yīng)用于激光的電光調(diào)制、脈沖整形和激光內(nèi)腔調(diào)Q等激光技術(shù)領(lǐng)域之中。RTP普克爾盒具有更高的電光性能、擁有大電光系數(shù)、高抗光傷閾值、極好的化學(xué)穩(wěn)定性、高電阻率、低壓電效應(yīng)和不易潮解等優(yōu)良特性，與其他電光材料相比，RTP（磷酸鈦氧銣）普克爾斯電池具有許多優(yōu)點(diǎn)：不吸濕、低開關(guān)電壓、消光比好、無壓電和熱電效應(yīng)，可以運(yùn)用在RTP Q開關(guān)或RTP脈沖選擇器等領(lǐng)域之中。

特點(diǎn)

高電阻率；
高消光比；
低半波電壓；
高抗光損傷閾值；
使用溫度－50~70 ℃，無需溫控；
適用于高頻操作，最高開關(guān)頻率可達(dá)1 MHz；
適用波長：450 nm – 3 μm，器件消光比 >23 dB；
動(dòng)態(tài)、靜態(tài)半波電壓基本一致，易于安裝和調(diào)節(jié)；
晶體損傷閾值達(dá)1 GW/cm2 @ 1064 nm, 10 ns脈寬；
晶體內(nèi)部質(zhì)量好，光學(xué)吸收低，雙晶體的總體透光率>5%；
在高頻工作時(shí)，極低的振鈴效應(yīng)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于BBO電光Q的振鈴效應(yīng)；
晶體不潮解，介電常數(shù)低，優(yōu)良的電學(xué)穩(wěn)定性，可長期承受外加電壓；
小巧的外形和較低的操作電壓，使其更適于新型的光纖與碟片激光器應(yīng)用；
雙晶體總的電容量很小，5 mm長晶體的總電容量為2-3 pF或10 mm長晶體的總電容量為3-4 pF，可實(shí)現(xiàn)脈沖上升/下降時(shí)間：5-5 ns；

RTP普克爾盒最先出現(xiàn)在芯飛睿。

KTP普克爾盒

Ring — Mon, 06 Jun 2022 08:41:42 +0000

KTP（KTiOPO₄）普克爾盒，又稱磷酸氧鈦鉀普克爾盒，是一種綜合性優(yōu)良的普克爾盒器件。KTP普克爾盒具有損傷閾值高、高占空比運(yùn)行和極低的壓電共振等優(yōu)點(diǎn)，可以運(yùn)用在飛秒激光器、高重復(fù)頻率激光器的脈沖選擇器和高重復(fù)頻率激光器的調(diào)Q開關(guān)等相關(guān)領(lǐng)域之中。KTP普克爾盒克服了LiNbO₃晶體普克爾盒光學(xué)破壞閾值低的缺點(diǎn)，以及KD*P晶體普克爾盒相對較高的半波電壓和易潮解的缺點(diǎn)。與RTP晶體相比，KTP晶體具有更好的光學(xué)均勻性和更高的損傷閾值。其突出特點(diǎn)是KTP電光開關(guān)可以在高占空比下運(yùn)行，甚至可以在更長時(shí)間內(nèi)保持高電壓。

特點(diǎn)

易潮解；
損傷閾值高；
高占空比運(yùn)行；
較高的半波電壓；
極低的壓電共振；
標(biāo)準(zhǔn)通光孔徑：4×4、6×6和8×8 mm；
相較于雙BBO普克爾盒電池電壓要求小兩倍；

KTP普克爾盒最先出現(xiàn)在芯飛睿。

RTP電光晶體

Alice — Mon, 06 Jun 2022 03:33:54 +0000

RTP晶體，又稱為磷酸鈦氧銣，化學(xué)式為RbTiOPO₄，是一種現(xiàn)在廣泛用于需要低開關(guān)電壓的電光應(yīng)用的材料。RTP電光晶體具有機(jī)械與化學(xué)性能穩(wěn)定、非線性光學(xué)系數(shù)大、電光系數(shù)高、激光損傷閾值高、介電常數(shù)高、電阻率高、透光波段范圍寬、壓電振鈴效應(yīng)低、插入損耗小、不易潮解、適用于高頻操作等優(yōu)點(diǎn)。RTP電光晶體在激光器、電光調(diào)制領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。RT電光P晶體可用來制造各種電光器件，中小功率激光器是其重要應(yīng)用市場，例如用來制造高重復(fù)頻率調(diào)Q激光器、鎖模脈沖激光器、Er:YAG(摻鉬記鋁石榴石)激光器等;電光調(diào)制是RTP晶體的重要功能，利用此功能可用來制電光Q開關(guān)、相位調(diào)制器、脈沖選擇器、腔倒空器等產(chǎn)品，近年來，RTP電光晶體已經(jīng)成為電光Q開關(guān)的熱門材料。RTP晶體可以廣泛應(yīng)用在工業(yè)激光加工、激光醫(yī)療、激光測距、科學(xué)勘探、國防軍工等領(lǐng)域。

特點(diǎn)：

不潮解
體積小
高電阻率
高消光比
無壓電效應(yīng)
透明范圍廣
高損傷閾值
高溫穩(wěn)定性
低半波電壓
適用于高頻操作
穩(wěn)定的機(jī)械和化學(xué)性能
較大的非線性光學(xué)和電光系數(shù)

RTP電光晶體最先出現(xiàn)在芯飛睿。

MgO:LiNbO3電光晶體

Alice — Mon, 06 Jun 2022 03:11:04 +0000

MgO:LiNbO₃晶體,又稱為摻鎂鈮酸鋰晶體，是一種綜合性能比較優(yōu)良的電光晶體。MgO:LiNbO₃電光晶體具有高損傷閾值、廣泛的透明度范圍、優(yōu)異的電光性能以及良好的機(jī)械和化學(xué)性能等優(yōu)點(diǎn)，可以用在普克爾斯盒、Q開關(guān)和相位調(diào)制器、光波導(dǎo)基板和表面聲波(SAW)晶片等最常用的材料中。MgO 摻雜 LN（典型摻雜：5%）是為了降低本征材料的光折變效應(yīng)而開發(fā)的，因此可用于更高能量的應(yīng)用。MgO:LiNbO₃ 對 Nd:Laser 的 NCPM SHG、混合 SFG 和光參量振蕩器具有特殊的優(yōu)勢，因此應(yīng)用于 OPO、OPA、準(zhǔn)相位匹配倍增器和集成波導(dǎo)。與LiNbO₃晶體相比，MgO:LiNbO₃ 晶體在摻Nd激光器中的NCPM倍頻、混頻和光參量振蕩的應(yīng)用中有其獨(dú)有的優(yōu)勢。MgO:LiNbO₃晶體在脈沖Nd:YAG激光器和連續(xù)Nd:YAG激光器中能夠分別地獲得超過65%的和45%的倍頻效率。MgO:LiNbO₃ 電光晶體被廣泛地應(yīng)用于光參量振蕩（OPO）、光參量放大（OPA）、準(zhǔn)相位匹配及集成光波導(dǎo)中。

特點(diǎn):

高損傷閾值
室溫下的非臨界相位匹配(NCPM)
廣泛的透明度范圍
優(yōu)異的EO 和NLO 性能
良好的機(jī)械和化學(xué)性能

MgO:LiNbO₃電光晶體最先出現(xiàn)在芯飛睿。

LBO電光晶體

Alice — Mon, 06 Jun 2022 01:30:21 +0000

LBO晶體，又稱為三硼酸鋰晶體，化學(xué)式為LiB₃O₅，是一種具有非常優(yōu)良品質(zhì)的非線性功能的電光晶體材料。LBO電光晶體具有透光波段寬、較高的非線性耦合特性、倍頻轉(zhuǎn)換效率較高、激光損傷閾值高、接收角度寬、離散角度小和良好的化學(xué)和機(jī)械加工性能等優(yōu)點(diǎn)。在全固態(tài)激光、電光、醫(yī)學(xué)、微加工的二倍頻，三倍頻和OPO等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。在二倍頻方面，可以應(yīng)用于醫(yī)用與工業(yè)用途的Nd : YAG激光、科研與軍事用途的高功率Nd: YAG與Nd: YLF激光、Na: YVo4,Nd : YAG和Nd : YLF激光的泵浦以及紅寶石。Ti: Sappire與Cr : LiSAF激光器中。在三倍頻方面，可以運(yùn)用在Nd: YAG與Nd: YLF激光、光學(xué)參里放大器(OPA)與光學(xué)參里振蕩器(OPO) 、高功率134Onm的Nd: YAP激光的二、三倍頻。同時(shí)LBO晶體可以將中高功率1064nm激光二倍頻至532nm綠光，或是將1064nm激光三倍頻至355nm紫外激光以及用于OPO系統(tǒng)上。

特點(diǎn):

可透光波段范圍寬(160—2600nm)
光學(xué)均勻性好，內(nèi)部包絡(luò)少
倍頻轉(zhuǎn)換效率較高(相當(dāng)于KDP晶體的3倍)
高損傷域值(1.3ns脈寬的1053nm激光可10Gw/cm2)
接收角度寬，離散角度小
I,II類非臨界相位匹配(NCPM)的波段范圍寬
光譜非臨界相位匹配(NCPM）接近

LBO電光晶體最先出現(xiàn)在芯飛睿。